圖：眾多顧客在產品展臺前試用新發布的?話華為5G手機。

　　荷蘭阿斯麥（ASML）目前在售的知沒深紫外線（DUV）光刻機中，有4種高端的光刻國產浸潤式光刻機，采用多重曝光技術，機何晶片最高能實現7納米晶片工藝。納米而通過多重曝光會導致良率降低、?話工時效率低、知沒成本增加等問題。光刻國產所以如果光刻機精度跟得上的機何晶片情況下，一般不會采用多次曝光的納米技術，因為效率降低，?話同時良率也會顯著下滑，知沒最終導致成本可能成倍數上漲，光刻國產非常不劃算的機何晶片。

　　不過要進入5納米，納米就必須使用極紫外線（EUV）光刻機，因為DUV光刻機精度有限，不能無限的多次曝光。目前DUV光刻技術最多4次曝光，且只能達到7納米。